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濕式蝕刻的速率

信息來源于:互聯網 發布于:2019-08-06

通常可藉由改變溶液濃度及溫度予以控制。溶液濃度可改變反應物質到達及離開待蝕刻物表面的速率,一般而言,當溶液濃度增加時,蝕刻速率將會提高。而提高溶液溫度可加速化學反應速率,進而加速蝕刻速率。

除了溶液的選用外,選擇適用的屏蔽物質亦是十分重要的,它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩定而不變質。而光阻通常是一個很好的屏蔽材料,且由于其圖案轉印步驟簡單,因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時也會發生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕,造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用黏著促進劑來增加光阻與基材間的黏著性,如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光阻與基材間的應力差異太大,減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質來吸收兩者間的應力差。

蝕刻化學反應過程中所產生的氣泡常會造成蝕刻的不均勻性,氣泡留滯于基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,將使得蝕刻速率變慢或停滯,直到氣泡離開基材表面。因此在這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,并在蝕刻過程中予于攪動以加速氣泡的脫離。

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